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一、項目內容

單晶硅也稱硅單晶，是電子信息材料中最基礎性材料，屬半導體材料類。單晶硅已滲透到國民經濟和國防科技各個領域，當今全球超過2000億美金的電子通信半導體市場中95%以上的半導體器件及99%以上的集成電路用硅。目前世界上硅單晶片的年產量已達10000噸。該項目著重研究大直徑直拉單晶硅的規模化制備工藝解決CZ-Si口中高濃度間隙態過飽和氧的存在和隨著硅錠直徑增大、長度加長過程中微缺陷密度機器摻雜劑的徑向、縱向微區不均勻分布等問題；開發新型硅外延材料用于大功率器件與電路制造：硅外延材料可有效地控制氧、碳等雜質玷污，提高其純度、完整性和摻雜均勻性；開發高質量200-300mm正片（外延片和拋光片）材料規模化生產工藝等。

二、建設條件

樂都縣硅石資源豐富，儲量在10億噸以上，工業集中區內條件完善，電價便宜，交通方便，地理位置優越。

三、項目投資及經濟效益

項目總投資80000萬元人民幣，項目完成后后可實現年收入100000萬元人民幣，稅金20000萬元人民幣。